LED的技术发展，分分钟全知晓!

2007年，美国CREE公司在SiC衬底上生长了双异质结，并且设备也非常出色，SiC衬底可以在衬底底部制造LED的金属电极，电流可以通过低电阻。基板的直线流动也为其他光电器件的开发奠定了基础。

同年，Nichia Chemical推出了下一代大功率白光LED，其光通量为1451m，在350mA电流输入下的光输出为1341m/W。

之所以要完成白光LED的高功率，是因为要完成所用蓝光LED芯片的高功率。

蓝色LED在350mA驱动速度，波长444nm，外部量子功率％和WPE ％时的光功率为651mW。

同年，Nichia推出了一种白光LED，其发光功率为1501 m/W。

该LED的功率代表了当时业界的最高水平。

正向电流为20 mA的类型为1001 m /W。

2009年初，CREE宣布完成1611m/W的光效率和色温为4689K。

LED规格测试条件在室温下以350 mA的驱动电流执行。

在2009年底，CREE宣布其白光大功率LED的光效完成于1861m /W。

该测试在标准测试环境中进行，室温下的驱动电流为350 mA。

2009年初，Nichia的实验室结果表明，LED的发光功率从20mA增加到每瓦2,491m，但是对于一般LED行业常用的350mA电流，发光功率降低到了1451m/W。业界高度重视。

2011年，欧司朗开发工程师改进了LED生产中涉及的所有技术，在实验室测试中，新开发的白光LED刷新了公司的亮度和发光功率。

在350mA的工作电流规格下，LED的亮度可以达到1551m，发光功率达到1361m/W。

白色LED原型使用1mm2的芯片，色温为5000K，色度坐标为/（Cx/Cy）。

2012年，CREE宣布白色LED的光效率超过231lm/W，使用单个模块组件在色温4500K和规格测试室温度350mA的情况下测量2311m/W的白色LED效率。

如今，LED靶材一直在使用，并且随着应用和标识行业的扩展，对LED灯珠的需求日益多样化。

技术进步不仅是当前目标的一个单一参数，而且每年都在降低成本。